Processu di produzzioni dâ pillìcula riflittiva antianti

Prucessu Tecnulòggicu
Furniri matiriali di crìscita e funti di gas: dari matiriali di crìscita pâ pillìcula anti riflittìva, comu SiO nna quarchi furma, dannu puru funti di gas ca currispunnunu ê matiriali di crìscita, comu SiH ₄, N ₂ O e N ₂ Ispinnenzi di gas.
Furmazzioni dû stratu anti-riflessi: usa lu stissu matiriali di criscita pi furmari siquinziarmenti armenu du' strati anti riflessioni di film anti riflessioni supra lu stratu di sustratu. Lu stratu dû sustratu po nchiùdiri lu stratu SiO, lu stratu Si e lu stratu d'assuppamentu 'n siquenza longu la dirizzioni dâ criscita dû film. Pigghiannu lu stratu anti riflessi anti-riflèssi dû liveḍḍu (primu stratu anti riflessi e sicunnu stratu anti riflessi) comu esempiu, è furmatu di nu prucessu di criscita epitassiali (comu lu mètudu di dipusizzioni chimica dû plasma PECVD). Li passaggi spicìfici sunnu li siguenti:
Lu prucessu di sustratu: doppu lu prucessu di pulizia dî semicunnutturi nnô stratu di sustratu, metti lu stratu di sustratu ncapu l'apparicchiaturi di dipusizzioni CVD.
Cunsigghiu di paràmitri di apparecchiatura: Cuntrullari la timpiratura di l’elittrodu supiriuri di l’apparicchiaturi di dipusizzioni CVD a 200-300 gradi e la timpiratura cchiù vascia di l’elittrodu a 250-350 gradi.
Crìscita dû primu stratu anti riflessioni: Aggiustari li primi paramitri di dipusizzioni di l’apparicchiaturi di dipusizzioni CVD, ntra cui lu primu tassu di purtata di vulumi di SiH ₄, N ₂ O, e N ₂, la prima prissioni di gas, la prima putenza RF di l’apparicchiaturi di dipusizzioni CVD, lu primu tempu di dipusizzioni di film suttili, ecc. o qualegghiè cumminazzioni di chisti, pi cumminari lu primu stratu antiflessiri cu n’intervallu di spissuri di 10-20 nm e a l'indici di rifrazzioni di 1,4-1,71.
Crìscita di un sicunnu liveḍḍu anti-riflèssi: Aggiustari li sicunna paràmitri di dipusizzioni di l’apparicchiaturi di dipusizzioni CVD, ntra li quali lu sicunnu tassu di purtata di vulumi di SiH ₄, N ₂ O, e N ₂, la sicunna prissioni di gas, la sicunna putenza RF di l’apparicchiaturi di dipusizzioni CVD, lu sicunnu tempu di dipusizzioni di film suttili, ecc. o ogni cumminazzioni, pi crisciri un sicunnu stratu anti riflessioni ncapu lu primu liveḍḍu di riflessu, cu nu liveḍḍu di spissuri di 10-200 nm e n'indici di n'indici di rifrazzioni di 1,4-1,71.

Vantazzi tecnulòggici
Usannu lu stissu matiriali di criscita, lu film anti-riflessi pò ottèniri lu stissu effettu anti-riflessi rispettu a li film anti riflessioni ammucciati di matiriali diversi, riducennu li tipi di funti di gas usati, abbassannu la difficultà dû prucessu di priparazzioni e aumintannu lu spazziu di priparazzioni e l'aria di travagghiu a causa dâ cunservazzioni e l'usu dî funti di gas duranti lu prucessu di priparazzioni.

prucessu di produzzioni di SiO ibbridi SiO /TiO ₂ film anti riflittìvi

Prucessu Tecnulòggicu
Priparazzioni dû sustratu: scegghi sustrati trasparenti comu lu vitru, lu vitru, lu vitru, la pillìcula di poliimida, ecc., e fari nu trattamentu di rimuzzioni dî macchi pi assicurari na supirfici pulita e pruvulazzu-}. Si è nicissariu, si ponnu fari la lucidatura duppiata o duppiu{4}} pi migghiurari l'efficienza di trasmissiuni dâ luci.
Priparazziuni dû pricursuri dû film: lu tetraetossisilanu (TEOS) e lu titrabbuttilu titanatu (TBT) vennu agghiunciuti a l'etanolu ca cunteni NH ₄ OH nna na certa prupurzioni, e la riazzioni è tinuta pi 9{1}12 uri p'aviri un sistema di sol-gel trasparenti.
Rivestimentu e currezzioni: lu sistema di gel priparatu è rivestitu uniformimenti ntô sustratu trasparenti e ntô rivestimentu spin, spruzzannu, spazzulari e autri schemi. Doppu lu rivestimentu, lu pricursuri dâ pillìcula ibbridi SiO ₂
Rivestimentu circulari: ripeti lu prucessu di rivestimentu e di cura nzinu a quannu s'utteni l'effettu anti riflittìvu disijatu. Li tempi di rivestimenti e li siquenzi diffirenti nfruènzanu lu rinnimentu di film anti riflittìvi, e ci serbinu ricerchi e uttimizzazzioni.
Trattamentu dâ supirfici: pi aumintari la durabbilità e la stabbilità dû film anti riflittìvu, nu stratu di pulimeru idrofili e idrofubbu pò èssiri rivestitu ntâ supirfici dû film anti riflittìvu.

Prucessu di produzzioni di film antiffissivu a nfrarussi
Prucessu Tecnulòggicu
La pillìcula anti-riflessi nfrarussa si basa supra lu silicuni e rivestitu di pillìculi anti-riflessi ntâ tutti dui li lati dû sustratu. La struttura dû sistema di film dâ pillìcula anti-riflessi è nnipinnenti l'una di l'autra comu (HL) ^ S, unni H rapprisenta lu stratu Si, L rapprisenta lu stratu SiO, S rapprisenta lu pirìudu dâ struttura di basi di HL, e lu valuri di S è n'internu ntra 3-6. Lu stratu Si è vicinu ô sustratu, e lu stratu SiO s'attrova ncapu la supirfici. Lu prucessu di rivestimentu è usatu pi attaccari lu liveḍḍu dû film ô sustratu, cû stratu di film SiO comu stratu cchiù esternu, ca àvi na durizza di supirfici auta e nun àvi bisognu di nu stratu prutittivu aggiuntivu. Sparti, lu SiO àvi n’indici di rifrazzioni cchiù vasciu, ca po ridduciri la riflittività supirficiali e aumintari ultiriurmenti la trasmittanza a nfrarussu.

prucessu di produzzioni di àutu- timpiratura CO ₂ film antifflissivu laser
prucessu ticnulòggicu
Matiriali prima di fusiuni: lu trattamentu di fusiuni siparatu veni fattu ncapu a fluoru di ytrium, fluoru di ytrium di càrciu e matiriali di film di silinidi di zincu pi livari li mpurità dintra li matiriali dû film.
Strade di film di dipusizzioni: lu primu stratu di fluoru di ytrium, stratu di fluoru di càrciu ytrium, stratu di silinidi di zincu e sicunnu stratu di fluoru ytrium su' dipusitati siquinziarmenti ncapu a nu stratu di sustratu di silinidi di zincu cu nu spissuri di 3 ± 0,1mm pi evapurazzioni dû votu. L'aria di cupirtura di ogni stratu è cchiù dû 95% di l'aria supirficiali dû stratu di sustratu. Li riquisiti di spissuri fìsicu pi ogni stratu su' li siquenti: lu spissuri fìsicu dû primu stratu di fluoru ytrium è 95-100 nanòmitri; Lu spissuri fìsicu dû stratu di fluoru di càrciu ytterbium è di 860-870 nanòmitri; Lu spissuri fìsicu dû stratu di siliridu di zincu è 240-250 nanòmitri; Lu spissuri fìsicu dû sicunnu stratu di fluoru ytrium è di 95-100 nanòmitri.
 

Vantazzi tecnulòggici
La mimbrana di riflessioni priparata havi na struttura e nu disignu squisitu sèmplici. La cumminazziuni a quattru strati àvi li carattirìstichi dâ risistenza a timpiratura auta, la trasmittanza auta, lu stratu di mimbrana solida, lu stress cumplimintari ntra li strati dâ mimbrana e la nun ruttura dî strati dâ mimbrana. Pò suddisfari lu funziunamentu cuntinuu dî cumpunenti 'n cunnizzioni di timpiratura jauta, e li matiriali usati nta ogni liveḍḍu nun su' radiattivi, ca nun causanu danni a l'upiratura e l'ambienti.