Sustratu di Wafer di Quarzu
Li sustrati a wafer di quartzu su’ wafer fatti principalmenti di quartzu di purità auta (SiO2), usati assai nne semicunnuttura, ottuelittrònica, sistemi micru{1}}elittrumiccànici (MEMS), dispusitivi uttici e autri campi.
Discrizzioni
Prupità dû matiriali
- Auta Purità:Di sòlitu fattu di quarzu sintèticu (pi diri, sìlica fusa), cu na purità assai auta (cchiù granni o avali a 99,99%) e mpurità mìnimi pi nun nfruenzari li pristazzioni dû dispusitivu.
- Stabbilità tèrmica:Vasciu cufficenti di spanziuni tèrmica (≈0,55×10−6/ gradu ) e risistenza a timpiraturi auti (puntu di ammorbidimentu ~1600 gradi ), adatti pi prucessi a timpiraturi auti.
- Rinnimentu Otticu:Ampia gamma di trasmissiuni (UV a IR), cu na trasmittanza UV eccizziunali, idiali pi fotumàschiri, lenti, ecc.
- Inirtà chìmica:Risistenti a l'àciti e a l'àlcali (a parti l'àcitu idrufluòricu), adattu pi prucessi di 'ncisioni vagnati.
- Isulamentu elèttricu:High resistivity (>1016 Ω·cm), idiali pi sustrati isulanti o dispusitivi a friquenza auta.
Applicazzioni
Manifattura di semicunnuttura
- Sustrati di fotumàschi
- Cumpunenti dâ litugrafìa EUV
- Purtaturi di prucidura di wafer
Fotònica e Ottuelittrònica
- Sustrati di guida d'unna ottica
- Muntatu a diodi laser
- Cumpunenti di cumputazzioni quantìstica
Applicazzioni di spicialità
- Basi risunaturi MEMS
- Ottica dû telescopiu spazziali
- Sistemi laser a àuta-enirgìa
Prucessu di produzzioni
- Sìntisi dâ matiriali prima:Pruduttu attraversu la dipusizzioni di vapuri (pi diri, l'ossidazzioni di SiCl4) o la purificazzioni di quarzu naturali.
- Fusioni e furmazzioni:Fusioni a timpiratura auta-siguita di rinfriscamentu nta lingotti o tiratu direttu nta stiḍḍi.
- Tagghiu:Affittati ‘n wafer suttili usannu seghi di filu a diamanti o tagghiu laser.
- Smaltu e lucidatura:La lucidatura miccànica chìmica (CMP) arriva a liscizza a liveḍḍu nanòmitru-.
- Pulizia e ispezzioni:Rimozzioni di particeḍḍi e cuntaminanti mitallici, siguita di provi di difetti e paràmitri.
Prupità
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Prupità fìsichi |
Valuri |
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Purità |
＞99.99% |
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Dinzità |
2,2 g/cm3 |
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Trasparenza |
＞90% |
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Durizza di Mohs |
5.5--6.5 |
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Puntu di difurmazzioni |
1280 gradi |
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Puntu di ammorbidimentu |
1750 gradi |
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Puntu di ricchizza |
1250 gradi |
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Caluri spicìficu (20 - 350 gradu ) |
670J/kg. lauria |
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Cunnuttività tèrmica (20 gradi) |
1,4W/m. lauria |
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Cunnuttività di caluri (p/mk,1000 gradi) |
1.0-1.2 |
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Indici di rifrazzioni |
1.4585 |
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Cufficenti di Espansioni Termica |
5.510 -7cm/cm lauria |
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Timpiratura di travagghiu caudu - |
1750--2050 gradi |
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Timpiratura di sirvizziu a brevi tèrmini - |
1450 gradi |
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Timpiratura di sirvizziu a longu tèrmini - |
1100 gradi |
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Prupità chìmichi |
Valuri |
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Risistenti a l'àciti |
Àcitu forti (tranni HF), Alcali forti, suluzzioni urgànica |
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Timpiraturi auti Risistenti â curruzzioni |
Eccillenti |
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Cuntinutu di mpurità mitallici |
<5 ppm |
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Prupità elèttrichi |
Valuri |
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Risistività |
7107Ω.cm |
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Risistenza a l'isolamentu |
250 ~ 400 kv/cm |
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Custanti diilèttrica |
3.7~3.9 |
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Cuefficienti d'assorbimentu diilèttricu |
＜410-4 |
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Cufficenti di pèrdita diilèttrica |
＜110-4 |
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Prupità miccànichi |
Valuri |
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Risistenza a cumpressioni |
1100 MPa |
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Risistenza â curvatura |
MPa |
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Risistenza â tinzioni |
MPa |
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Rapportu di Poisson |
0.14~0.17 |
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Modulu di Young |
72000 MPa |
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Modulu di tagghiu |
31000 MPa |
FAQ
D1: Quali è la grannizza massima di sustrati di wafer di quartzu dispunìbbili?
R: pruduzzioni standard nzinu a 300 mm di diamitru, cu prutòtipi di 450 mm dispunìbbili pi R&S.
D2: Putissi furniri prufili di spissuri su misura?
R: Iè - putemu prudùciri:
- Wafer a cugnu (pi applicazzioni laser)
- Disegni affilati di pricisiuni
- Mesa-supirfici strutturati
D3: Quali protocollu di pulizia ti raccumanna?
R: Prucessu di pulizia RCA standard:
1. Rimuzzioni urgànica (H2SO4:H2O2)
2. Pulizzia iònica (HCl:H2O2)
3. HF-ùrtimu pâ supirfici idròfila
Tag caudi: sustratu a wafer di quarzu, Cina pruduttura di sustrati a wafer a quarzu, furnitura, fabbrica
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